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      FDMD8560L
      

    2. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
      5. 

    5. （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      6. 

    6. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDMD8560L
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    9. 描述：MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    11. 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
    12. 零件狀態(tài)：有源
    13. FET類(lèi)型：2 個(gè) N 通道（半橋）
    14. FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
    15. 漏源電壓（Vdss）：60V
    16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：22A，93A
    17. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.2 毫歐 @ 22A，10V
    18. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
    19. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：128nC @ 10V
    20. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：11130pF @ 30V
    21. 功率-最大值：2.2W
    22. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    23. 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
    24. 封裝：8-PowerWDFN
    25. FDMD8560L的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
      26. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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