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          ON安森美，安森美半導體，安森美代理商
          

          

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          FDS8958B_G供應商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

          FDS8958B_G參考圖片
          

          安森美（ON）產(chǎn)品標志
          

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          聯(lián)系方式
          

          

          

          

          FDS8958B_G
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
          5. 

        5. 技術參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：FDS8958B_G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        12. 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. FET類型：N 和 P 溝道
        15. FET功能：標準
        16. 漏源電壓（Vdss）：30V
        17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.4A，4.5A
        18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 6.4A，10V，51 毫歐 @ 4.5A，10V
        19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
        20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 4.5V，9.6nC @ 4.5V
        21. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：540pF @ 15V，760pF @ 15V
        22. 功率-最大值：900mW
        23. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        24. 安裝類型：表面貼裝型
        25. 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
        26. FDS8958B_G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          27. 

          

          


          

          

          節(jié)約時間成本，提高采購效率，安森美官網(wǎng)（ON）授權代理
          

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