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      產(chǎn)品參考圖片
      

      FQP19N20C_F080參考圖片
      

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      FQP19N20C_F080
      

    2. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-220-3
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
      5. 

    5. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
      6. 

    6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號：FQP19N20C_F080
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    9. 描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    11. 產(chǎn)品系列：QFET?
    12. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    13. FET類型：N 通道
    14. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    15. 漏源電壓（Vdss）：200V
    16. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：19A（Tc）
    17. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
    18. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：170 毫歐 @ 9.5A，10V
    19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
    20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
    21. Vgs（最大值）：±30V
    22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1080pF @ 25V
    23. FET功能：-
    24. 功率耗散（最大值）：139W（Tc）
    25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    26. 安裝類型：通孔
    27. 器件封裝：TO-220-3
    28. FQP19N20C_F080的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      29. 

      

      

      

      點擊下圖下載技術(shù)文檔
      

      FQP19N20C_F080的技術(shù)資料下載
      

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