NGB8207ABNT4G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:單路IGBT,D2PAK
技術(shù)參數(shù):IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NGB8207ABNT4G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3系列:-IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):365V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):50A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.2V @ 3.7V,10A功率 - 最大值:165WSwitching Energy:-輸入類型:邏輯Gate Charge:-25°C 時 Td(開/關(guān))值:-Test Condition:-反向恢復(fù)時間 (trr):-產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAKNGB8207ABNT4G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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