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      NGD18N45CLBT4G
      

    2. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類別封裝：單路IGBT，DPAK-3
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 450V 18A DPAK
      5. 

    5. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      6. 

    6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號：NGD18N45CLBT4G
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    9. 描述：IGBT 450V 18A DPAK
    10. 系列：-
    11. IGBT 類型：-
    12. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：500V
    13. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：18A
    14. Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
    15. 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.3V @ 4.5V，7A
    16. 功率 - 最大值：115W
    17. Switching Energy：-
    18. 輸入類型：邏輯
    19. Gate Charge：-
    20. 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：420ns/2.9μs
    21. Test Condition：300V， 1 千歐， 5V
    22. 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
    23. 產(chǎn)品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
    24. 安裝類型：表面貼裝
    25. 供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
    26. NGD18N45CLBT4G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      27. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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