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      NGTB15N120IHRWG供應商
      

      

      

      

      

      產(chǎn)品參考圖片
      

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      NGTB15N120IHRWG
      

    2. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
      5. 

    5. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
      6. 

    6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號：NGTB15N120IHRWG
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
    9. 描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
    10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    11. 產(chǎn)品系列：-
    12. 零件狀態(tài)：有源
    13. IGBT類型：溝槽型場截止
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
    16. 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，15A
    18. 功率-最大值：333W
    19. 開關(guān)能量：340μJ（關(guān)）
    20. 輸入類型：標準
    21. 柵極電荷：160nC
    22. 25°C時Td（開/關(guān)）值：-/170ns
    23. 測試條件：600V，15A，10 歐姆，15V
    24. 反向恢復時間(trr)：-
    25. 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
    26. 安裝類型：通孔
    27. 封裝：TO-247-3
    28. NGTB15N120IHRWG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
      29. 

      

      

      

      點擊下圖下載技術(shù)文檔
      

      NGTB15N120IHRWG的技術(shù)資料下載
      

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