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      NVD14N03RT4G參考圖片
      

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      NVD14N03RT4G
      

    2. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，DPAK-3
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
      5. 

    5. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      6. 

    6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVD14N03RT4G
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    9. 描述：MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
    10. 系列：-
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：邏輯電平門
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：25V
    14. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2.5A（Ta）
    15. 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：95 毫歐 @ 5A，10V
    16. 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
    17. 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：1.8nC @ 5V
    18. 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：115pF @ 20V
    19. 功率 - 最大值：1.04W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 產(chǎn)品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
    22. 供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
    23. NVD14N03RT4G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      24. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

      NVD14N03RT4G的技術(shù)資料下載
      

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