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      SGH80N60UFDTU
      

    2. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 80A 195W TO3P
      5. 

    5. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      6. 

    6. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SGH80N60UFDTU
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    9. 描述：IGBT 600V 80A 195W TO3P
    10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    11. 產(chǎn)品系列：-
    12. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    13. IGBT類型：-
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
    16. 電流-集電極脈沖(Icm)：220A
    17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，40A
    18. 功率-最大值：195W
    19. 開(kāi)關(guān)能量：570μJ（開(kāi)），590μJ（關(guān)）
    20. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
    21. 柵極電荷：175nC
    22. 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：23ns/90ns
    23. 測(cè)試條件：300V，40A，5 歐姆，15V
    24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：95ns
    25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    26. 安裝類型：通孔
    27. 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
    28. SGH80N60UFDTU的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      29. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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